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氣門離子氮化設(shè)備和工藝的基木要求

時(shí)間:2018-04-09? 來(lái)源:青島豐東熱處理 ?作者:青島豐東熱處理 點(diǎn)擊:1550次
    1 設(shè)備
    1.1 設(shè)備應(yīng)設(shè)置電壓、電流、溫度、真空度和氣體流量的測(cè)量指示儀表,溫度應(yīng)能自動(dòng)控制和記錄。
    1.2 設(shè)備的極限真空度應(yīng)不低于6.7Pa,壓升率應(yīng)不大于 1. 3 X10-¹Pa/min。
    1.3 設(shè)備應(yīng)有可靠的滅弧裝置。
    2 氮化前的準(zhǔn)備
    2.1 氮化前,應(yīng)清洗和除去氣門表面的油污和銹蝕。
    2.2 裝爐時(shí),氣門間的距離和氣門至陽(yáng)極的距離應(yīng)力求均勻,氣門底盤間距應(yīng)大于10mm,氣門與陽(yáng)極的間距應(yīng)大于30mm。
    2.3 氣門桿端部非氮化部位,應(yīng)采用鋼鐵制件復(fù)蓋等機(jī)械屏蔽進(jìn)行防滲。
    3 氮化工藝控制。
    3.1 預(yù)抽真空應(yīng)盡量接近設(shè)備的極限真空度。
    3.2 起輝應(yīng)采用小電流,濺射打弧階段氣壓不宜超過(guò) 1.3X 10²Pa。
    3.3 升溫階段滅弧裝置須投入使用,氣壓應(yīng)控制在 1.3X 10²- 2.6X 10² Pa 范圍。
    3.4 保溫階段氣壓應(yīng)控制在 2. 6x10²-8.0x10²Pa 之間,并應(yīng)盡量保持氣體流量和氣壓的穩(wěn)定。
    3.5 降溫階段氣門應(yīng)在真空或保護(hù)氣氛中冷卻,出爐溫度不應(yīng)高于150 ℃。
    3.6 應(yīng)對(duì)氮化工藝操作的全過(guò)程作詳細(xì)記錄。
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